Da der Bipolartransistor ein klassisches Gerät mit drei Anschlüssen ist, gibt es drei Möglichkeiten, ihn in eine elektronische Sch altung mit einem gemeinsamen Ausgang für Ein- und Ausgang einzubinden:
- gemeinsame Basis (CB) - Hochspannungsübertragungsverhältnis;
- mit einem gemeinsamen Emitter (CE) - verstärktes Signal in Strom und Spannung;
- common-collector (OK) - verstärktes Stromsignal.
In jeder der drei Varianten des Transistorsch altkreises reagiert dieser unterschiedlich auf das Eingangssignal, da die statischen Eigenschaften seiner aktiven Elemente von der konkreten Lösung abhängen.
Die Basissch altung ist eine von drei typischen Einsch altkonfigurationen für Bipolartransistoren. Es wird normalerweise als Strompuffer oder Spannungsverstärker verwendet. Solche Transistorsch altkreise unterscheiden sich dadurch, dass der Emitter hier als Eingangskreis fungiert, das Ausgangssignal vom Kollektor abgenommen wird und die Basis mit einem gemeinsamen Draht "geerdet" ist. FET-Sch altkreise in Common-Gate-Verstärkern haben eine ähnliche Konfiguration.
| Parameter | Ausdruck |
| Aktueller Gewinn |
Ik/Iin=Ik/I e=α[α<1] |
| In. Widerstand |
Rin=Uin/Iin=U be/Ie |
Die Sch altkreise von OB-Transistoren zeichnen sich durch stabile Temperatur- und Frequenzeigenschaften aus, was eine geringe Abhängigkeit ihrer Parameter (Spannung, Strom, Eingangswiderstand) von den Temperaturbedingungen der Arbeitsumgebung gewährleistet. Die Nachteile der Sch altung sind ein kleiner RВХund die fehlende Stromverstärkung.
Die Common-Emitter-Sch altung bietet eine sehr hohe Verstärkung und erzeugt am Ausgang ein invertiertes Signal, das eine ziemlich große Spreizung haben kann. Die Verstärkung in dieser Sch altung hängt stark von der Temperatur des Vorspannungsstroms ab, sodass die tatsächliche Verstärkung etwas unvorhersehbar ist. Diese Transistorsch altkreise bieten ein hohes RIN, Strom- und Spannungsverstärkung, Eingangssignalumkehrung und einfaches Sch alten. Zu den Nachteilen gehören Probleme im Zusammenhang mit Overamping - die Möglichkeit spontaner positiver Rückkopplung, das Auftreten von Verzerrungen bei kleinen Signalen aufgrund des geringen Eingangsdynamikbereichs.
| Parameter | Ausdruck |
| Fakt. aktueller Gewinn |
Iout/Iin=Ik/I b=Ik/(Ie-Ik)=α/(1 -α)=β[β>>1] |
| In. Widerstand |
Rin=Uin / Iin=U be/Ib |
Die Kollektorsch altung (in der Elektronik auch Emitterfolger genannt) ist eine von drei Arten von Transistorsch altungen. Dabei wird das Eingangssignal über die Basissch altung geführt und das Ausgangssignal am Widerstand im Emitterkreis des Transistors abgegriffen. Diese Verstärkungsstufenkonfiguration wird typischerweise als Spannungspuffer verwendet. Hier fungiert die Basis des Transistors als Eingangssch altung, der Emitter ist der Ausgang und der geerdete Kollektor dient als gemeinsamer Punkt, daher der Name der Sch altung. Analoge können Sch altkreise für Feldeffekttransistoren mit einem gemeinsamen Drain sein. Der Vorteil dieser Methode ist eine ziemlich hohe Eingangsimpedanz der Verstärkerstufe und eine relativ niedrige Ausgangsimpedanz.
| Parameter | Ausdruck |
| Fakt. aktueller Gewinn |
Iout/Iin=Ie/Ib =Ie/(Ie-Ik)=1/(1-α)=β [β>>1] |
| Kaffee. Spannungsverstärkung |
Uout /Uin=URe/(U be+URe) < 1 |
| In. Widerstand |
Rin=Uin/Iin=U be/Ie |
Alle drei typischen Transistorsch altkreise sind in Sch altkreisen weit verbreitet, abhängig vom Zweck des elektronischen Geräts und den Bedingungen für seine Verwendung.
