Die Elementbasis an Halbleiterelementen wächst ständig. Jede neue Erfindung in diesem Bereich verändert tatsächlich die gesamte Idee elektronischer Systeme. Die Möglichkeiten des Sch altungsdesigns ändern sich, neue Geräte, die darauf basieren, entstehen. Seit der Erfindung des ersten Transistors (1948) ist viel Zeit vergangen. Die "p-n-p"- und "n-p-n"-Strukturen, bipolare Transistoren, wurden erfunden. Im Laufe der Zeit tauchte auch der MIS-Transistor auf, der nach dem Prinzip der Änderung der elektrischen Leitfähigkeit der oberflächennahen Halbleiterschicht unter Einwirkung eines elektrischen Feldes arbeitet. Daher ist ein anderer Name für dieses Element field.
Schon die Abkürzung MIS (Metal-Dielectric-Semiconductor) charakterisiert den inneren Aufbau dieses Gerätes. Tatsächlich ist sein Gate durch eine dünne nichtleitende Schicht von Drain und Source isoliert. Ein moderner MIS-Transistor hat eine Gate-Länge von 0,6 µm. Nur ein elektromagnetisches Feld kann ihn passieren – das beeinflusst den elektrischen Zustand des Halbleiters.
Sehen wir uns an, wie ein FET funktioniert, und finden Sie heraus, wovon er sich hauptsächlich unterscheidetbipolarer "Bruder". Wenn das erforderliche Potential erscheint, erscheint ein elektromagnetisches Feld an seinem Tor. Es beeinflusst den Widerstand des Drain-Source-Übergangs. Hier sind einige der Vorteile der Verwendung dieses Geräts.
- Im offenen Zustand ist der Drain-Source-Übergangswiderstand sehr klein, und der MIS-Transistor wird erfolgreich als elektronischer Schlüssel verwendet. Beispielsweise kann es einen Operationsverstärker ansteuern, indem es eine Last überbrückt, oder an Logiksch altungen teilnehmen.
- Bemerkenswert ist auch die hohe Eingangsimpedanz des Gerätes. Dieser Parameter ist sehr relevant, wenn in Schwachstromkreisen gearbeitet wird.
- Die geringe Kapazität des Drain-Source-Übergangs ermöglicht den Einsatz des MIS-Transistors in Hochfrequenzgeräten. Während des Vorgangs kommt es zu keiner Verzerrung der Signalübertragung.
- Die Entwicklung neuer Technologien bei der Herstellung von Elementen hat zur Schaffung von IGBT-Transistoren geführt, die die positiven Eigenschaften von Feld- und Bipolarelementen vereinen. Darauf basierende Leistungsmodule sind in Softstartern und Frequenzumrichtern weit verbreitet.
Beim Entwerfen und Arbeiten mit diesen Elementen muss berücksichtigt werden, dass MIS-Transistoren sehr empfindlich auf Überspannung in der Sch altung und statische Elektrizität reagieren. Das heißt, das Gerät kann beim Berühren der Steueranschlüsse ausfallen. Verwenden Sie bei der Installation oder Demontage eine spezielle Erdung.
Die Aussichten für den Einsatz dieses Geräts sind sehr gut. Dank anAufgrund seiner einzigartigen Eigenschaften hat es eine breite Anwendung in verschiedenen elektronischen Geräten gefunden. Ein innovativer Trend in der modernen Elektronik ist die Verwendung von Leistungs-IGBT-Modulen für den Betrieb in verschiedenen Sch altungen, einschließlich Induktionssch altungen.
Die Technologie ihrer Produktion wird ständig verbessert. Entwicklungen sind im Gange, um die Länge des Verschlusses zu skalieren (zu reduzieren). Dies verbessert die bereits gute Leistung des Geräts.
